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三維光學(xué)輪廓儀
Sensofar
S neoxSensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測(cè)利器
Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測(cè)利器Sensofar S neox Five Axis在標(biāo)準(zhǔn)S neox基礎(chǔ)上升級(jí)五軸運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),支持樣品臺(tái)傾斜與旋轉(zhuǎn),可測(cè)量復(fù)雜曲面與側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品細(xì)節(jié)
針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)需求,Sensofar S neox提供亞納米級(jí)縱向分辨率與微米級(jí)橫向分辨率,支持晶圓表面平整度、薄膜厚度及微納結(jié)構(gòu)形貌測(cè)量。設(shè)備配備真空吸附載物臺(tái),可固定12英寸晶圓,避免測(cè)量過(guò)程中樣品移動(dòng)。Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測(cè)利器
產(chǎn)品性能
晶圓檢測(cè):白光干涉模式可檢測(cè)納米級(jí)臺(tái)階高度,適用于光刻膠涂層厚度均勻性分析。
缺陷識(shí)別:AI多焦面疊加技術(shù)自動(dòng)過(guò)濾噪聲,識(shí)別微米級(jí)表面缺陷。
自動(dòng)化流程:支持SECS/GEM協(xié)議,可與半導(dǎo)體產(chǎn)線MES系統(tǒng)無(wú)縫對(duì)接。
用材與參數(shù)表
參數(shù)項(xiàng) | 規(guī)格 |
---|---|
晶圓尺寸 | 最大12英寸 |
臺(tái)階高度測(cè)量范圍 | 1.5μm-10mm |
薄膜測(cè)量精度 | ±0.5nm |
通信協(xié)議 | SECS/GEM、RS-232 |
型號(hào)與用途
型號(hào):S neox(半導(dǎo)體專用配置)
應(yīng)用領(lǐng)域:晶圓表面平整度檢測(cè)、3D NAND閃存堆疊結(jié)構(gòu)形貌分析、芯片封裝貼合度驗(yàn)證。
使用說(shuō)明
晶圓裝載:將晶圓放置于真空吸附臺(tái),啟動(dòng)抽真空功能固定樣品。
區(qū)域選擇:在軟件中劃定測(cè)量區(qū)域,支持全晶圓掃描或局部抽檢。
厚度分析:利用干涉模式測(cè)量薄膜厚度,生成厚度分布熱力圖。
數(shù)據(jù)反饋:將測(cè)量結(jié)果上傳至MES系統(tǒng),觸發(fā)產(chǎn)線分選或返修流程。
Sensofar三維共聚焦輪廓儀表面形貌檢測(cè)利器
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