Sensofar在半導(dǎo)體晶圓薄膜厚度測(cè)量中的應(yīng)用

Sensofar?S?neox 通過(guò) 4?in?1 光學(xué)技術(shù)（共聚焦、白光干涉、多焦面疊加、光譜反射）實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓薄膜的非接觸、亞納米級(jí)厚度測(cè)量。以下從測(cè)量原理、典型案例、操作流程、數(shù)據(jù)輸出四個(gè)維度展開(kāi)說(shuō)明。

1. 測(cè)量原理

• 白光干涉 + 光譜擬合：利用寬譜白光照射薄膜，采集反射光譜后與多層膜模型進(jìn)行最小二乘擬合，直接得到每層厚度。該方法在 50?nm–5?mm 范圍內(nèi)均可工作，適配高折射率或高吸收材料。

• 共聚焦顯微：在薄膜表面進(jìn)行高 NA（0.95）共聚焦掃描，提供 0.10?µm 橫向分辨率，確保測(cè)量點(diǎn)的定位精度，尤其在薄膜邊緣或局部缺陷處發(fā)揮作用。

• 多焦面疊加：對(duì)斜率超過(guò) 70° 的晶圓鍵合界面仍能保持測(cè)量完整性，避免傳統(tǒng)干涉儀因視角限制產(chǎn)生盲區(qū)。

2. 典型工業(yè)案例

這些案例表明 S?neox 能在傳統(tǒng)接觸式輪廓儀噪聲 5?nm RMS 以上的情況下，提供更低的測(cè)量噪聲并顯著提升測(cè)量速度（相同面積約提升 8 倍）。

3. 操作流程（簡(jiǎn)要）

1. 系統(tǒng)預(yù)熱 & 自動(dòng)校準(zhǔn)：通電后 10?min 完成光路自校準(zhǔn)，確保 Z 軸零點(diǎn)與光學(xué)中心對(duì)齊。

2. 樣品裝載：將 300?mm 直徑晶圓放置在 XY 臺(tái)上，使用傾斜平臺(tái)將晶圓平面調(diào)平至 ≤?0.5°。

3. 模式選擇：在 SensoMAP 軟件中選擇“薄膜厚度（光譜干涉）"，系統(tǒng)自動(dòng)加載對(duì)應(yīng)材料庫(kù)（SiO?、Si?N?、TiN 等）。

4. 參數(shù)設(shè)定：設(shè)定測(cè)量點(diǎn)陣（如 10?mm?×?10?mm 區(qū)域 100?×?100 點(diǎn)），選擇掃描速度 3?mm?/?s。

5. 測(cè)量執(zhí)行：點(diǎn)擊“開(kāi)始"，系統(tǒng)同步采集光譜、共聚焦圖像并實(shí)時(shí)生成厚度分布圖。

6. 結(jié)果處理：軟件自動(dòng)計(jì)算 ISO?25178?2 參數(shù)（Sa、Sq、Sz），并生成 PDF 報(bào)告與 Excel 數(shù)據(jù)表。

7. 校準(zhǔn)與維護(hù)：每 200?h 使用標(biāo)準(zhǔn)厚度片（已知 SiO? 80?nm）進(jìn)行一次全系統(tǒng)校準(zhǔn)，確保長(zhǎng)期重復(fù)性 ≤?0.01?nm RMS。

4. 數(shù)據(jù)輸出與質(zhì)量控制

• 厚度映射圖：全晶圓 2?D 顏色映射，支持 0.1?µm 顏色分辨率。

• 統(tǒng)計(jì)報(bào)告：均值、標(biāo)準(zhǔn)差、最大偏差、均勻性（%）等關(guān)鍵指標(biāo)。

• 缺陷標(biāo)記：自動(dòng)識(shí)別局部厚度異常（>?±3?σ）并在圖上標(biāo)注，便于后續(xù)工藝調(diào)節(jié)。

• 接口輸出：CSV、XML、OPC?UA 接口，可直接對(duì)接 MES 系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)在線 SPC（統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制）。

5. 與傳統(tǒng)方法的對(duì)比優(yōu)勢(shì)

6. 小結(jié)

S?neox 將光譜干涉、共聚焦與多焦面疊加技術(shù)有機(jī)結(jié)合，能夠在保持高精度的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)大尺寸晶圓的快速全片厚度測(cè)量。其模塊化的軟件與硬件設(shè)計(jì)，使得不同薄膜材料（氧化物、氮化物、金屬）均可通過(guò)材料庫(kù)快速切換，滿足半導(dǎo)體前段（沉積、刻蝕）與后段（鍵合、封裝）全流程的厚度監(jiān)控需求。通過(guò)與 MES 系統(tǒng)的無(wú)縫對(duì)接，S?neox 進(jìn)一步提升了工藝良率與產(chǎn)線自動(dòng)化水平。