澤攸臺(tái)式掃描電鏡成像性能與參數(shù)表現(xiàn)解析

產(chǎn)品簡介

澤攸臺(tái)式掃描電鏡成像性能與參數(shù)表現(xiàn)解析
掃描電子顯微鏡的核心價(jià)值在于成像能力，ZEM20在分辨率、放大倍數(shù)及成像適應(yīng)性上進(jìn)行了針對性優(yōu)化。本文結(jié)合其技術(shù)參數(shù)與實(shí)際測試數(shù)據(jù)，解析其性能表現(xiàn)。

產(chǎn)品型號：ZEM20

更新時(shí)間：2025-10-13

廠商性質(zhì)：代理商

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

臺(tái)式電鏡&臺(tái)階儀&原位分析

澤攸澤攸臺(tái)式掃描電鏡澤攸臺(tái)階儀澤攸探針臺(tái)及低溫系統(tǒng) 澤攸TEM原位方案(樣品桿) 澤攸SEM原位解決方案

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澤攸臺(tái)式掃描電鏡成像性能與參數(shù)表現(xiàn)解析

掃描電子顯微鏡的核心價(jià)值在于成像能力，ZEM20在分辨率、放大倍數(shù)及成像適應(yīng)性上進(jìn)行了針對性優(yōu)化。本文結(jié)合其技術(shù)參數(shù)與實(shí)際測試數(shù)據(jù)，解析其性能表現(xiàn)。

分辨率是衡量SEM的關(guān)鍵指標(biāo)。ZEM20在高真空模式下，加速電壓30kV時(shí)分辨率可達(dá)3nm，1kV時(shí)為5nm；低真空模式下，10kV分辨率約8nm。這一表現(xiàn)得益于電磁透鏡的精密設(shè)計(jì)——物鏡光闌可切換3種尺寸（20μm、50μm、100μm），配合消像散器自動(dòng)校正，有效抑制色差與球差，提升邊緣銳度。測試中，對304不銹鋼斷口的觀察顯示，晶界與滑移線清晰可辨，滿足材料微觀結(jié)構(gòu)分析需求。

放大倍數(shù)范圍覆蓋10×至100,000×，其中1,000×-50,000×為常用區(qū)間。設(shè)備支持連續(xù)變倍，通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)物鏡光闌與透鏡電流聯(lián)動(dòng)實(shí)現(xiàn)，切換過程平滑無跳焦。對于大尺寸樣品（如半導(dǎo)體封裝芯片），低倍模式可快速定位區(qū)域，再逐步放大至高倍觀察細(xì)節(jié)，提升檢測效率。

成像模式多樣化。除常規(guī)SE二次電子像外，BSE背散射電子像可反映樣品成分差異——例如，檢測鋁合金中的Si相分布時(shí)，BSE圖像中Si顆粒呈亮白色，與基體形成鮮明對比。此外，ZEM20支持低真空模式下的“環(huán)境掃描"，可直接觀察未噴金的環(huán)氧樹脂包埋生物樣品（如果蠅觸角），表面形貌與部分化學(xué)信息（如未染色的幾丁質(zhì)結(jié)構(gòu)）同時(shí)呈現(xiàn)。

參數(shù)調(diào)節(jié)靈活性是另一優(yōu)勢。加速電壓可在1kV-30kV間以100V步進(jìn)調(diào)節(jié)，低電壓減少對樣品的損傷（適用于有機(jī)材料），高電壓增強(qiáng)信號穿透深度（適用于厚涂層樣品）。工作距離（WD）調(diào)節(jié)范圍為5mm-15mm，短WD（5mm）提升分辨率，長WD（15mm）擴(kuò)大觀察視野，滿足不同場景需求。

參數(shù)表關(guān)鍵項(xiàng)：

加速電壓：1kV-30kV（步進(jìn)100V）
分辨率：3nm（30kV，SE）；8nm（10kV，低真空）
放大倍數(shù)：10×-100,000×（連續(xù)變倍）
真空模式：高真空（≤10??Pa）、低真空（10Pa-10?1Pa）
探測器：SE（標(biāo)配）、BSE（選配）

實(shí)際測試中，對碳纖維復(fù)合材料的檢測顯示，ZEM20能清晰分辨纖維與樹脂基體的界面，且連續(xù)拍攝100張圖像（5000×）無明顯漂移，穩(wěn)定性良好。其性能參數(shù)雖非行業(yè)頂尖，但通過合理的功能分配與模式適配，在教學(xué)、工業(yè)檢測及常規(guī)科研中展現(xiàn)出較高的實(shí)用性。

澤攸臺(tái)式掃描電鏡成像性能與參數(shù)表現(xiàn)解析

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