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澤攸 ZEM20:科研顯微研究平臺

產(chǎn)品簡介

澤攸 ZEM20:科研顯微研究平臺
在高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科研機(jī)構(gòu)的研究中,對微觀結(jié)構(gòu)的超高分辨率分析與多維度表征是突破科研瓶頸的關(guān)鍵。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM20,憑借性能與豐富的擴(kuò)展功能,成為開展前沿微觀研究的高級平臺。

產(chǎn)品型號:
更新時間:2025-08-25
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:31
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澤攸 ZEM20:科研顯微研究平臺


在高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科研機(jī)構(gòu)的研究中,對微觀結(jié)構(gòu)的超高分辨率分析與多維度表征是突破科研瓶頸的關(guān)鍵。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM20,憑借性能與豐富的擴(kuò)展功能,成為開展前沿微觀研究的高級平臺。
產(chǎn)品細(xì)節(jié)
ZEM20 采用高穩(wěn)定性臺式結(jié)構(gòu),機(jī)身框架為高強(qiáng)度鑄鋁材質(zhì),經(jīng)過時效處理消除內(nèi)應(yīng)力,減少溫度變化與振動對設(shè)備的影響。操作界面為雙觸控屏設(shè)計(jì),主屏幕用于圖像顯示與參數(shù)調(diào)節(jié),副屏幕用于數(shù)據(jù)分析與功能設(shè)置,同時支持多用戶賬戶管理,可保存不同研究人員的操作參數(shù)與分析模板。樣品室為大容積設(shè)計(jì),最大可容納直徑 100mm、高度 80mm 的樣品,配備高精度五軸電動樣品臺(X/Y/Z 軸移動,傾斜與旋轉(zhuǎn)),定位精度可達(dá) ±1μm,支持樣品的多角度觀察與原位動態(tài)實(shí)驗(yàn)(如拉伸、壓縮過程中的微觀變化)。設(shè)備集成高靈敏度二次電子探測器、背散射電子探測器、陰極熒光探測器,可同時獲取樣品的表面形貌、成分分布與光學(xué)特性信息;同時預(yù)留能譜儀(EDS)、電子背散射衍射(EBSD)、聚焦離子束(FIB)等附件接口,可構(gòu)建完整的微觀表征系統(tǒng),實(shí)現(xiàn) “形貌觀察 - 成分分析 - 晶體結(jié)構(gòu)分析 - 微納加工" 的一體化研究。此外,機(jī)身配備高精度環(huán)境控制系統(tǒng),可調(diào)節(jié)樣品室的溫度(-200℃至 600℃)與濕度(可控濕度模式),模擬環(huán)境條件下的樣品行為。
產(chǎn)品性能
ZEM20 的超高分辨率性能達(dá)到臺式 SEM 水平,二次電子圖像分辨率可達(dá) 1.5nm(30kV),在低電壓(1kV)下仍能保持 3.0nm 的分辨率,可清晰觀察原子級別的表面細(xì)節(jié)(如金屬表面的原子臺階、半導(dǎo)體材料的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu))。加速電壓范圍為 0.5 - 20kV,調(diào)節(jié)精度 0.01kV,能滿足從低損傷觀察(如生物大分子、有機(jī)薄膜)到超高分辨率分析(如納米器件、催化劑顆粒)的全場景需求;放大倍數(shù)覆蓋 5 - 300000 倍,可實(shí)現(xiàn)從樣品宏觀定位到原子級細(xì)節(jié)的連續(xù)觀察。在圖像采集方面,支持超高分辨率靜態(tài)拍照(最大分辨率 8192×6144 像素)、動態(tài)視頻錄制(幀率可達(dá) 60 幀 / 秒)與原位動態(tài)追蹤(可自動跟蹤樣品移動,保持觀察區(qū)域穩(wěn)定)。設(shè)備具備先進(jìn)的圖像處理算法,如自適應(yīng)降噪、三維重構(gòu)、元素分布映射等,可深入分析樣品的微觀結(jié)構(gòu)與成分特征;同時支持原位實(shí)驗(yàn)功能,如原位加熱、原位冷卻、原位電學(xué)測試,可實(shí)時觀察樣品在外界刺激下的微觀變化過程(如材料的相變、納米器件的電學(xué)響應(yīng))。
用材講究
為保障科研所需的性能與穩(wěn)定性,ZEM20 的核心部件選用頂級材料與工藝。電子槍采用六硼化鑭(LaB?)燈絲,相比傳統(tǒng)鎢燈絲,具備更高的亮度(亮度是鎢燈絲的 5 - 10 倍)、更長的使用壽命(可達(dá) 1000 - 2000 小時)與更低的能量分散,能產(chǎn)生更細(xì)的電子束,實(shí)現(xiàn)超高分辨率成像。透鏡系統(tǒng)采用無氧銅精密鍛造,配合多層超導(dǎo)鍍膜,減少電子能量損失與散射,電子束聚焦精度可達(dá)納米級別;透鏡冷卻系統(tǒng)采用水冷設(shè)計(jì),有效控制透鏡溫度變化(溫度波動小于 ±0.1℃),保障電子束的穩(wěn)定性。樣品室內(nèi)部采用鈦合金與不銹鋼復(fù)合材質(zhì),經(jīng)過電解拋光處理,表面粗糙度小于 0.1μm,減少樣品室壁的電子散射,降低背景噪聲;樣品臺采用高強(qiáng)度鈦合金,表面經(jīng)過納米涂層處理,具備優(yōu)異的耐磨性與抗腐蝕能力,適合長期高精度使用。探測器選用進(jìn)口高靈敏度半導(dǎo)體材料,信號采集效率高,噪聲低,能捕捉微弱的二次電子、背散射電子與陰極熒光信號;內(nèi)部電路采用低噪聲、高帶寬設(shè)計(jì),電子信號傳輸損耗小于 1%,保障圖像的信噪比與分辨率。真空系統(tǒng)采用三級真空泵(機(jī)械泵 + 分子泵 + 離子泵),真空度可達(dá)≤1×10??Pa,能有效減少殘余氣體對電子束與樣品的影響,適合高分辨率、長時間的原位實(shí)驗(yàn)。
參數(shù)詳情
參數(shù)項(xiàng)
具體數(shù)值
分辨率
二次電子圖像:1.5nm(30kV),3.0nm(1kV);背散射電子圖像:3.0nm(30kV)
加速電壓
0.5 - 20kV,步長 0.01kV
放大倍數(shù)
5 - 300000 倍,連續(xù)可調(diào),最小步長 0.01 倍
樣品室尺寸
最大樣品直徑 100mm,最大樣品高度 80mm
樣品臺
五軸電動樣品臺(X/Y/Z:100mm×100mm×50mm,傾斜:-15° 至 + 90°,旋轉(zhuǎn):360°),定位精度 ±1μm
電子槍類型
六硼化鑭(LaB?)燈絲電子槍(可選配場發(fā)射電子槍)
探測器
高靈敏度二次電子探測器(SE)、高分辨率背散射電子探測器(BSE)、陰極熒光探測器(CL)
真空系統(tǒng)
機(jī)械泵 + 分子泵 + 離子泵,真空度:超高真空模式≤1×10??Pa,高真空模式≤5×10??Pa,低真空模式 10 - 1000Pa
圖像功能
超高分辨率拍照(8192×6144 像素)、動態(tài)視頻(60 幀 / 秒)、原位動態(tài)追蹤、三維重構(gòu)、元素分布映射
原位實(shí)驗(yàn)
支持原位加熱(-200℃至 600℃)、原位冷卻、原位電學(xué)測試(電壓 0 - 100V,電流 0 - 1A)
擴(kuò)展接口
EDS、EBSD、FIB、拉曼光譜儀接口,支持多技術(shù)聯(lián)用
工作環(huán)境
溫度 20 - 25℃(±0.5℃),相對濕度 30% - 50%(無冷凝),振動≤0.01g(50 - 200Hz)
廣泛用途
在納米科技研究中,ZEM20 可用于觀察納米器件(如量子點(diǎn)、納米線)的結(jié)構(gòu)與尺寸,分析其電學(xué)、光學(xué)性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系;在催化科學(xué)領(lǐng)域,能觀察催化劑顆粒的形貌、分散狀態(tài)與活性位點(diǎn),研究催化反應(yīng)機(jī)理;在生物醫(yī)學(xué)前沿研究中,可通過低溫樣品臺觀察冷凍生物大分子(如蛋白質(zhì)、病毒)的結(jié)構(gòu),輔助解析其功能;在材料科學(xué)研究中,能原位觀察材料在條件(如高溫、高壓、強(qiáng)電場)下的微觀結(jié)構(gòu)演變,揭示材料性能的本質(zhì)規(guī)律;此外,在半導(dǎo)體芯片研發(fā)中,還能檢測芯片內(nèi)部的納米級缺陷、電路連接狀態(tài),助力 7nm 及以下制程芯片的研發(fā)與制造。
使用說明
使用前,需將 ZEM20 安裝在專用的恒溫恒濕實(shí)驗(yàn)室中,配備光學(xué)防震平臺與接地系統(tǒng)(接地電阻≤1Ω),環(huán)境需滿足嚴(yán)格的溫濕度控制(溫度 20 - 25℃,波動 ±0.5℃;相對濕度 30% - 50%),遠(yuǎn)離強(qiáng)磁場(如核磁共振儀)、強(qiáng)電場(如高壓發(fā)生器)與振動源。設(shè)備安裝調(diào)試需由廠家專業(yè)工程師進(jìn)行,包括真空系統(tǒng) leak 檢測、電子槍校準(zhǔn)、探測器靈敏度調(diào)試等,調(diào)試完成后進(jìn)行性能驗(yàn)證(如分辨率測試、圖像重復(fù)性測試)。實(shí)驗(yàn)前,根據(jù)研究需求選擇電子槍類型(LaB?燈絲或場發(fā)射燈絲),并進(jìn)行燈絲激活(LaB?燈絲需在高真空下加熱激活,場發(fā)射燈絲需進(jìn)行處理)。樣品制備需嚴(yán)格按照 SEM 樣品要求:導(dǎo)電性樣品需進(jìn)行精密拋光與清潔,去除表面氧化層與污染物;絕緣樣品需進(jìn)行超薄鍍膜(如碳膜厚度 2 - 5nm),避免電子積累;生物樣品需經(jīng)過冷凍干燥或臨界點(diǎn)干燥處理,保持天然結(jié)構(gòu);原位實(shí)驗(yàn)樣品需特殊設(shè)計(jì)樣品支架,確保與原位附件(如加熱臺、電學(xué)測試臺)的兼容性。將樣品安裝在五軸樣品臺上,放入樣品室,關(guān)閉樣品室門,啟動真空系統(tǒng),待真空度達(dá)到實(shí)驗(yàn)要求(超高真空模式用于高分辨率觀察,低真空模式用于易揮發(fā)樣品)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)康倪x擇探測器與實(shí)驗(yàn)?zāi)J剑罕砻嫘蚊灿^察選用 SE 探測器,成分分析選用 BSE 探測器,光學(xué)特性研究選用 CL 探測器;原位實(shí)驗(yàn)需連接相應(yīng)附件(如加熱臺電源、電學(xué)測試系統(tǒng)),設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)(如溫度程序、電壓電流條件)。啟動圖像掃描,通過雙觸控屏調(diào)節(jié)掃描參數(shù)(加速電壓、放大倍數(shù)、掃描速度、采樣點(diǎn)數(shù)),利用高級圖像處理功能(如像散自動校正、自適應(yīng)降噪)優(yōu)化圖像質(zhì)量。對于超高分辨率成像,需選擇慢掃描速度(如 100 秒 / 幀)、高采樣點(diǎn)數(shù)(8192×6144),并進(jìn)行多次圖像平均,減少噪聲。實(shí)驗(yàn)過程中,實(shí)時記錄圖像數(shù)據(jù)與原位實(shí)驗(yàn)參數(shù),利用配套軟件進(jìn)行實(shí)時分析(如尺寸測量、成分分布映射)。實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,關(guān)閉掃描程序與原位附件,待樣品室放氣后取出樣品,若使用了場發(fā)射電子槍,需按照說明書進(jìn)行燈絲保護(hù)(如降溫、充入保護(hù)氣體)。日常維護(hù)需由專業(yè)人員進(jìn)行,包括每周檢查真空系統(tǒng)油位與離子泵電流,每月清潔電子槍腔體與透鏡,每季度進(jìn)行探測器校準(zhǔn)與真空系統(tǒng) leak 檢測,每年進(jìn)行一次全面性能驗(yàn)證與維護(hù);設(shè)備出現(xiàn)故障時,需立即停機(jī),聯(lián)系廠家技術(shù)人員進(jìn)行檢修,嚴(yán)禁自行拆解核心部件(如電子槍、真空系統(tǒng))。
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技術(shù)參數(shù)



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