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澤攸臺式掃描電鏡
澤攸ZEM20掃描顯微鏡的成像性能實測
澤攸ZEM20掃描顯微鏡的成像性能實測臺式掃描電子顯微鏡的長期性能穩(wěn)定,依賴于定期維護。ZEM20的維護重點集中在真空系統(tǒng)、探測器及環(huán)境控制
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在 30?kV、束流 1?nA 條件下,對 30?kV 金標樣的線寬測得 8?nm(SE),信噪比 34?dB。降低至 10?kV 時分辨率 ≤?10?nm,仍保持對比度 >?0.45,適合低壓非導電樣品的觀。
設(shè)備頂部預留 30 mm2 EDS 接口,支持無窗硅漂移探測器。對 Mn Kα 峰,能量分辨率 129 eV,輸入計數(shù)率 30 kcps。以 Cu-Zn 合金為例,面掃描時間 120 s,像素 400 × 300,生成 Cu、Zn、O 三通道圖。EDS 軟件與SEM主控共享坐標文件,可在圖像上疊加元素分布,實現(xiàn)形貌與成分同步觀察。對輕元素 C、N,建議采用 7 kV 低電壓,減少束流擴散,提高空間一致性。
金顆粒實驗:5?% 金膠稀釋后滴加硅片,使用 15?kV、50?pA,二次電子計數(shù) 1.2?Mcps,雙顆粒間距 10?nm 可清晰分辨,圖像漂移 <?0.3?pixel(30?s 連拍 30 張)。
碳納米管:3?kV、20?pA,背散射模式下管壁厚度 6?nm 可測,低電壓有效抑制充電。
景深:5?kV、20?pA 條件下,對 40?µm 多孔硅進行傾斜掃描,景深 35?µm,優(yōu)于同檔傳統(tǒng)鎢燈絲系統(tǒng)約 22?µm。
典型模式性能表
模式 | 加速電壓 (kV) | 束流 (nA) | 分辨率 (nm) | 信噪比 (dB) |
---|---|---|---|---|
SE 高分辨率 | 30 | 1?50 | ≤?8 | 34 |
SE 低壓 | 10 | 0.1?20 | ≤?10 | 30 |
SE 超低壓 | 5 | 0.05?5 | ≤?12 | 26 |
BSE 中壓 | 15 | 0.5?10 | ≤?20 | 28 |
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