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探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析
探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析ZEM20的性能參數(shù)體現(xiàn)了其在臺式電鏡中的技術(shù)定位。
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探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析
ZEM20的性能參數(shù)體現(xiàn)了其在臺式電鏡中的技術(shù)定位。成像分辨率方面,在20kV加速電壓下,二次電子像分辨率優(yōu)于4.0nm,背散射電子像分辨率可達5.0nm。放大倍數(shù)范圍從20倍到36萬倍連續(xù)可調(diào),涵蓋了從宏觀觀察到微觀細節(jié)的廣泛需求。
電子光學系統(tǒng)參數(shù)顯示,加速電壓范圍1-20kV,步進0.1kV可調(diào);電子槍采用預(yù)對中鎢燈絲,典型壽命超過100小時。樣品室真空度優(yōu)于5×10?3Pa,確保電子束傳播過程中不受殘余氣體分子過多干擾。樣品臺移動范圍達到X/Y軸±25mm,Z軸5-40mm連續(xù)可調(diào),傾斜角度-10°至+90°,旋轉(zhuǎn)角度360°連續(xù)可調(diào)。
在探測系統(tǒng)方面,標配的二次電子探測器采用閃爍體-光導(dǎo)管-光電倍增管組合,具有較高信噪比。背散射電子探測器為四象限半導(dǎo)體探測器,支持成分分析和形貌分析兩種工作模式。設(shè)備還預(yù)留了能譜儀接口,可擴展安裝EDS探測器進行元素分析。
ZEM20的性能參數(shù)包括成像、真空與操作等方面。在成像性能上,其二次電子與背散射電子圖像分辨率均達到4nm,放大倍數(shù)范圍為數(shù)十倍至36萬倍。加速電壓最大支持20kV,并可選擇高真空或低真空模式(低真空為選配)。電子槍類型為預(yù)對中鎢燈絲,壽命較長。樣品臺標準配置為三軸,可選五軸,移動范圍靈活。真空系統(tǒng)采用獨特分隔設(shè)計,抽真空時間短,換樣后準備迅速。探測器類型涵蓋SE(二次電子)與BSE(背散射電子)。設(shè)備還支持圖像多格式保存(如TIFF、JPEG),分辨率最高可達7680×4800像素。這些參數(shù)保證了ZEM20在微觀形貌觀察中的表現(xiàn)。探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析
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